愛普生表面工程技的術半導體行業

在半導體行業中,鍍金和化學鍍鎳應用于反射環,反射陣列和頂部夾頭。鍍金具有高反射率,導電性和良好的散熱性?;Ф頗蚓哂辛己鎂刃院湍突Ц蔥?。

微電子的獨特電鍍


Base Station
用于手機藍牙系統的無線電頻率和無線組件
微電子的獨特電鍍技術規格
尺寸: 4"(方形晶片)
基體材料: 陶瓷
電鍍選項: Ti-Cu + EN / Cu(防止電磁波及腐蝕) 
Si (封裝濺射)
濺射厚度: Ti: 10µm, Cu: 50µm
厚度: 3.5 - 100µm
技術挑戰
真空鍍膜和鍍化學鎳
利用真空鍍鈦,鍍銅,無電解鍍鎳的組合技術并且復合成形的粘接
真空鍍膜和鍍銅
行寬100um的模板成形,
35–50um厚,渾圓度 < 3um的銅柱電鍍
直徑150 um,深度 <10 um的通孔填充
LED Bulb
三層電鍍
TiCu Diagram
成形的LTCC陶瓷板
TiCu Diagram
通孔填充

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濕式和干式綜合技術,鍍鎳,鍍銅,PVD

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晶圓的電鍍


LED Bulb
LED應用及3G手機晶圓上的電鍍程序
微電子的獨特電鍍技術規格
尺寸: 3"、4"、6"、8"(晶圓)
基體材料: Al-Si
電鍍選項: Au(電導率用途)
Au-Sn(芯片粘接用途)
Au-Ni(黏附用途)
厚度: 0.1 - 100µm
技術挑戰
Au-Sn 合金電鍍
Au80Sn20 (wt%±2), 厚度≥5µm (WIW:±10%), Bow <1mm 均勻的外觀延長化學藥品的使用時間
晶圓鍍金
CE6合金的粘接,表面光潔度
Ra <0.08um Ni1.0um /Au 0.5um
LED Bulb
低熔點(280°C – 300°C)
LED Bulb
Ra = <0.05µm

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鍍金,鍍鎳,鍍銅,鍍錫

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凸點下金屬化技術


UBM
用于連接半導體器件的封裝基板
微電子的獨特電鍍技術規格
尺寸: 4"、6"、8"(晶圓)
基體材料: Al-Si
電鍍選項: Ti, Cu, Ni, Au, Ag, Cr
厚度: 0.1 - 100µm
技術挑戰
LED Bulb • 以品種的晶圓,提供出色的附著力
• 預防金屬的擴散

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鍍金,鍍鎳,鍍銅,鍍錫,鍍銀

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射頻功率晶體管的電鍍


Base Station
用于無線電站的射頻功率晶體管及其他通訊設備
射頻部件的電鍍技術規格
基體材料: 陶瓷,Cu-Mo,Cu,Cu-W
電鍍選項: Ni-Co / Au(焊接和芯片粘接用途) 
厚度: 1.5 - 3.5µm
技術挑戰
LED Bulb
芯片直接連接到基座
在被陶瓷部分分開的兩種不同厚度的零件上進行均勻的鍍金(Ni±0.9μm Au±0.23μm)

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鍍金, 鍍鎳, 鍍銅

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